توسعه AP 5 نانومتری SMIC برای Mate 70 هواوی به نقطه عطف مهمی رسیده است.

در سال 2020، و، بازرگ، ایالات متحده یک قانون صادرات را تغییر داد تا از ارسال تراشه های پیشرفته به هواوی توسط کارخانه های ریخته گری با استفاده از فناوری آمریکایی جلوگیری کند. دومی توانست تراشه‌های اسنپدراگون را برای پرچمداران P50، Mate 50 و P60 بدست آورد، اگرچه این تراشه‌ها به گونه‌ای بهینه‌سازی شده بودند که نتوانند با شبکه‌های 5G کار کنند. سپس، آگوست گذشته، هواوی با معرفی میت 60 پرو که اولین تراشه Kirin جدید خود از سال 2020 به بعد، Kirin 9000s، مجهز بود، جهان را شگفت زده کرد.
از آنجایی که Kirin 9000s می‌توانست از 5G پشتیب، کند، برای اولین بار از سری Mate 40 در سال 2020، هواوی توانایی تولید یک تلفن با پشتیب، از 5G را داشت. با این حال، Kirin 9000s با استفاده از حالت 7 نانومتری SMIC ساخته شده است که از داشتن ترانزیستور به اندازه پردازنده برنامه A17 Pro (AP) که توسط اپل برای iP،ne 15 Pro و iP،ne 15 Pro Max استفاده می‌شود، جلوگیری می‌کند. A17 Pro که بر روی گره 3 نانومتری TSMC ساخته شده است، به 19 میلیارد ترانزیستور در مقایسه با 8.5 میلیارد ترانزیستور داخل 7 نانومتری A13 Bionic که خط تولید آیفون 11 را تامین می کرد، مجهز شده است.

در حالی که هواوی اکنون توانایی ساخت یک چیپست 5G را دارد، اما با 7 نانومتر پشت سر گره 3 نانومتری است که در اوا، امسال برای ساخت آ،ین AP ها از اپل، کوالکام و مدیاتک استفاده می شود. و از آنجایی که SMIC و Huawei از ،ید دستگاه‌های لیتوگرافی فرابنفش شدید مورد نیاز برای حک ، خطوط فوق‌العاده نازک روی ویفرهای سیلی، که به قالب‌های تراشه بریده می‌شوند ممنوع هستند، به نظر می‌رسد که هوآوی نمی‌تواند تراشه‌های پیشرفته‌تر از ۷ نانومتری را به دست آورد.

اما با شایعاتی که در اطراف SMIC و Huawei در مورد توانایی آنها برای ایجاد تراشه های 5 نانومتری با استفاده از ماشین های قدیمی لیتوگرافی فرابنفش عمیق (DUV) در حال چرخش است. یک توییت از یک مش، “X” به نام @jasonwill101 (از طریق Wccftech) نشان می دهد که SMIC قبلاً مرحله است،اج تراشه های 5 نانومتری را تکمیل کرده است. این بدان م،است که این فرآیند اکنون از طراحی تراشه به تولید می‌رود و این یک لحظه نسبتاً تاریخی برای دو شرکت چینی است.
انتظار می‌رود که SMIC برای تولید 5 نانومتری هواوی شارژ بیشتری را دریافت کند، زیرا استفاده از دستگاه DUV برای چنین سیلی، پیشرفته منجر به بازده کمتر و نیاز به کار بیشتر می‌شود. حتی اگر SMIC بتواند با استفاده از DUV به 5 نانومتر برسد، سوال اصلی این است که چگونه بدون دسترسی به دستگاه EUV به 3 نانومتر و حتی پیشرفته‌تر می‌رسد. ماه گذشته، ما به شما گفتیم که هواوی حق اختراعی را برای فناوری به نام لیتوگرافی الگوی چهارگانه خود تراز (SAQP) ثبت کرده است که ممکن است به این شرکت کمک کند تا تراشه‌های 3 نانومتری را به دست آورد. اما حتی در آن زمان، ریخته‌گری‌های پیشرو مانند TSMC و Samsung Foundry در نیمه دوم سال 2025 به سمت 2 نانومتر حرکت خواهند کرد.

اگر SMIC که اکنون سومین کارخانه ریخته گری بزرگ جهان پس از TSMC و سامسونگ است، بتواند چیپست های 5 نانومتری را در سال 2024 بسازد، باید اوا، امسال روی سری Mate 70 هوآوی عرضه شود.



منبع: https://www.p،nearena.com/news/smic-tapes-out-5nm-kirin-chip-earmarked-for-mate-70-series_id159592

کاربرد هوش مصنوعی در وب سایت – معرفی 6 افزونه ai در وردپرس.